E3Z-R81K-M3J 0.3M datasheet

E3Z-R81K-M3J 0.3M datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

Маркировка

E3Z-R81K-M3J 0.3M
Производитель

Omron Corporation
Описание

Omron Corporation E3Z-R81K-M3J 0.3M Lead Free Status / Rohs Status: Compliant Mounting: Screw Operating Supply Voltage (max): 26.4V Operating Supply Voltage (typ): 12/15/18/24V Operating Temp Range: -25C to 55C Operating Temperature Classification: Commercial Output Type: PNP Pin Count: 3 Proximity Sensor Sensing Distance: 3000mm Proximity Sensor Sensing Distance Range: >=1200mm Proximity Sensor Switching Mode: Light ON/Dark ON Proximity Sensor Type: Photoelectric Other Names: E3ZR81KM3J03M
Количество страниц

19 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet E3Z-R81K-M3J 0.3M.pdf
Файл формата Pdf 619,61 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

E3Z-R81K-M3J 0.3MОнлайн Компоненты

E3Z-R81K-M3J 0.3MЭИК

E3Z-R81K-M3J 0.3MТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Тайваньская академия наук, Academia Sinica, представила инновационный 5-битный сверхпроводящий квантовый компьютер, что является значительным достижением в области квантовых вычислений и укрепляет позиции Тайваня как одного из лидеров в этой быстро развивающейся сфере.

Тайвань продвигает квантовые вычисления с помощью нового 5-битного сверхпроводника

21.05.2024

Еще новости

Электрофорум - Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

Электрофорум

Темы электроснабжение, защита, заземление, автоматика, электроника и другое.

electroforum.su

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.